招聘崗位：博士后（2名）

崗位描述：III-V族化合物半導(dǎo)體材料生長和光電子器件研制

應(yīng)聘條件：（1）理學(xué)或工學(xué)博士畢業(yè)；（2）具有半導(dǎo)體物理、材料物理、半導(dǎo)體光電子器件、導(dǎo)波光學(xué)或衍射光學(xué)背景；（3）對研究有熱情，了解相關(guān)領(lǐng)域國內(nèi)外最新進展，動手能力強，有較強的英語閱讀和寫作能力，在前期學(xué)習(xí)/工作過程中做出同行認可的成績；（4）具有較強的團隊合作意識、責(zé)任心和開展科研工作的能力，有意從事III-V化合物半導(dǎo)體異質(zhì)襯底材料外延或者半導(dǎo)體光電子器件研制工作；（5)具有化合物半導(dǎo)體MOCVD材料生長、材料表征分析、光電子器件研制、集成光路設(shè)計經(jīng)驗者將優(yōu)先考慮。

崗位待遇：工資及福利待遇按中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所和國家有關(guān)規(guī)定執(zhí)行。

應(yīng)聘方式：

1、應(yīng)聘者需提交申請表及個人詳細履歷，并附上三名推薦人的聯(lián)系方式；

2、初選合格者將電話或E-mail通知本人參加面試；

3、參加面試初審者需提供：學(xué)歷、學(xué)位證書復(fù)印件以及相關(guān)資料，至少一份推薦信；

4、通過面試者到指定醫(yī)院進行體檢，體檢合格者將被錄用。

聯(lián)系人：張瑞英，董建榮

電話：0512-62872560，0512-62872649

E-mail：ryzhang2008@sinano.ac.cn，jrdong2007@sinano.ac.cn

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