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招聘崗位（一）：III-V族化合物半導體材料生長或光通信光電子器件測試表征博士后（兩名）

崗位要求：（1）理學或工學博士畢業(yè)；（2）具有半導體材料（物理）、半導體光電子器件、導波光學或通信專業(yè)背景；（3）對研究有熱情，了解相關領域國內(nèi)外最新進展，動手能力強，有較強的英語閱讀和寫作能力，在前期學習/工作過程中做出同行認可的成績；（4）具有較強的團隊合作意識、責任心和獨立開展科研工作的能力，有意從事III-V化合物半導體異質(zhì)襯底材料外延或者半導體光電子器件測試表征工作；（5)具有化合物半導體MOCVD材料生長、光電子器件研制和表征或者光纖通信用光電子器件表征經(jīng)驗者優(yōu)先考慮。
招聘崗位（二）：III-V化合物半導體器件工藝人員（兩名）

崗位職責：負責III-V族化合物半導體器件部分工藝以及相關測量表征。

崗位要求：(1)大專及以上學歷；(2) 微電子、材料和物理專業(yè)畢業(yè)或者工作背景；(3)動手能力強，善于學習，吃苦耐勞，有團隊合作精神；(4)有半年以上半導體超凈間工作經(jīng)驗者優(yōu)先考慮。

崗位待遇：按中科院蘇州納米所項目聘用相關規(guī)定執(zhí)行。

應聘方式：

（1）報名截止時間:招滿為止；

（2）應聘者將簡歷及畢業(yè)證書掃描件通過郵件，以“應聘崗位＋姓名”為主題發(fā)送至以下郵箱；

（3）我們將以郵件或電話的方式通知通過初選的應聘者，前來參加本單位組織的筆試或面試。

聯(lián)系人：張瑞英電話：0512-62872560 E-mail：ryzhang2008@sinano.ac.cn

崗位待遇：目前研究所博士后月收入稅前約7500元，外加課題績效和年終獎金。業(yè)績突出者，博士后出站后可優(yōu)先留所工作。

更多信息請查看江蘇省事業(yè)單位招聘網(wǎng)